Home/To the Main Page Search/Search E-Mail
                       

ЛАБОРАТОРИЯ ЯДЕРНЫХ РЕАКЦИЙ
им. Г. Н. ФЛЕРОВА

Основана 20 мая, 1957

Структура
Дирекция ЛЯР
Научный отдел
СГИ
АХО
ПТХО
Центр прикладной физики



ludmila@jinr.ru

Центр Прикладной Физики

  • Взаимодействие тяжелых ионов с веществом. Модификация физических свойств облученных материалов

    Пучки тяжелых ионов высоких энергий, являющиеся мощным инструментом модификации материалов, начинают широко использоваться в радиационной физике твердых тел. В значительной степени это обусловлено выделением значительного количества энергии в нанометрическом объеме вокруг ионной траектории, что может быть источником структурных измерений, не достижимых при других видах воздействия. Экспериментальной базой материаловедческих исследований в ФЛЯР являются ускорители:

    - У-400 (энергия ионов до 10 МэВ/нуклон)

    - циклотрон для прикладных исследований ИЦ-100. Энергия ионов Ne, Ar, Fe, Kr, Xe, W 1,2 МэВ/нуклон - - Установка для облучения низкоэнергетическими ионами на ЭЦР источнике (Е = Z x 20 кэВ, Z изменяется от +1 до +17).

    Все установки ионного облучения включают специализированные каналы, оборудованные системами сканирования в горизонтальном и вертикальном направлениях и всеми необходимыми элементами контроля параметров пучков. Эти системы обеспечивают однородность распределения пучков по облучаемой площади и дают возможность варьировать плотность потока ионов в широком диапазоне.

    Основные направления текущих и планируемых исследований:

    - моделирование эффектов, вызываемых осколками деления в конструкционных реакторных материалах и материалах инертных разбавителей композитного ядерного топлива на пучках тяжелых ионов с энергиями осколков деления;
    - исследование структурных эффектов ионизации высокой плотности в радиационно-стойких диэлектриках;
    - разработка основ технологии высокоэнергетической ионной имплантации – изучение процессов геттерирования, модификации профилей электрически активных примесей и эволюции дефектной структуры в полупроводниковых материалах, облучаемых высокоэнергетическими ионами;
    - исследование процессов формирования наноразмерных дефектов, вызываемых единичными тяжелыми ионами высоких энергий в режиме электронного торможения на поверхности твердых тел. Пример наноразмерных структур, образованных высокоэнергетическими ионами Bi, приведен на рис.1

    Рис. 1. Наноразмерные структуры на поверхности MgAl2O4, образованные ионами Bi с энергией 710 МэВ при флюенсе 5x1010-2.

  • Последние публикации [more...]

  • См. также сектор №8 ФЛЯР [more...]



<<< back

 
 
 
 
 
 
 
Postal address:
FLNR JINR, 141980 Dubna,
Moscow region, Russia

Phone: (7-49621) 62-159
Telefax: (7-49621) 28-933
Telex: 911621 DUBNA SU
E-mail: yuliam@jinr.ru